casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29DW641F60ZE6E
codice articolo del costruttore | M29DW641F60ZE6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29DW641F60ZE6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW641F60ZE6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 60ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW641F60ZE6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29DW641F60ZE6E-FT |
M29W128FT70N6E
STMicroelectronics
M29W128GH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W256GH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W256GH70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W256GL70N6E
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel