casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29DW641F60ZE6E
codice articolo del costruttore | M29DW641F60ZE6E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-M29DW641F60ZE6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW641F60ZE6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 60ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW641F60ZE6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29DW641F60ZE6E-FT |
M29W128FT70N6E
STMicroelectronics
M29W128GH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W256GH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W256GH70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W256GL70N6E
Micron Technology Inc.