casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GL70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29W128GL70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GL70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GL70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GL70N6F TR-FT |
JS28F00AM29EWH0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWL0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BFA
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel