casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GH70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29W128GH70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GH70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GH70N6F TR-FT |
F256BFHTPTSL85
Sharp Microelectronics
F640SPHT-PTLZ8
Sharp Microelectronics
JS28F00AM29EWH0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWL0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel