casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GH70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29W128GH70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GH70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GH70N6F TR-FT |
F256BFHTPTSL85
Sharp Microelectronics
F640SPHT-PTLZ8
Sharp Microelectronics
JS28F00AM29EWH0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWL0
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel