casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W256GH70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29W256GH70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W256GH70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W256GH70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GH70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W256GH70N6F TR-FT |
JS28F00AP30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TF
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TFA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel