casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24128-BWMN6P
codice articolo del costruttore | M24128-BWMN6P |
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Numero di parte futuro | FT-M24128-BWMN6P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24128-BWMN6P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 450ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24128-BWMN6P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M24128-BWMN6P-FT |
M24C64-WMN6TP
STMicroelectronics
M93C56-WMN6TP
STMicroelectronics
M93C66-RMN3TP/K
STMicroelectronics
M93S56-WMN6TP
STMicroelectronics
M95010-WMN6TP
STMicroelectronics
M95020-DRMN3TP/K
STMicroelectronics
M95040-DRMN3TP/K
STMicroelectronics
M95128-DRMN3TP/K
STMicroelectronics
M95160-DRMN3TP/K
STMicroelectronics
M95160-WMN6TP
STMicroelectronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel