casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24C64-WMN6TP

| codice articolo del costruttore | M24C64-WMN6TP |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-M24C64-WMN6TP |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| M24C64-WMN6TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Frequenza di clock | 1MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 450ns |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M24C64-WMN6TP Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | M24C64-WMN6TP-FT |

TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.

70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc

XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.

XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.

A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation

5CEBA4F17C6N
Intel

EP4CE22E22C8L
Intel

LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEFA7F23I7N
Intel

5AGTFC7H3F35I3G
Intel