casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95020-DRMN3TP/K
codice articolo del costruttore | M95020-DRMN3TP/K |
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Numero di parte futuro | FT-M95020-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95020-DRMN3TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95020-DRMN3TP/K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95020-DRMN3TP/K-FT |
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel