casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95040-DRMN3TP/K
codice articolo del costruttore | M95040-DRMN3TP/K |
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Numero di parte futuro | FT-M95040-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95040-DRMN3TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95040-DRMN3TP/K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95040-DRMN3TP/K-FT |
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc