casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LS103B-GS08
codice articolo del costruttore | LS103B-GS08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LS103B-GS08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LS103B-GS08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS103B-GS08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LS103B-GS08-FT |
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation