casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-60EPU06-N3
codice articolo del costruttore | VS-60EPU06-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-60EPU06-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-60EPU06-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.68V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 81ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPU06-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-60EPU06-N3-FT |
VI20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation