casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-60EPU06HN3
codice articolo del costruttore | VS-60EPU06HN3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-60EPU06HN3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-60EPU06HN3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.68V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 81ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPU06HN3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-60EPU06HN3-FT |
VI20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel