casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-EPU3006-N3
codice articolo del costruttore | VS-EPU3006-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-EPU3006-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-EPU3006-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-EPU3006-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-EPU3006-N3-FT |
VI20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel