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codice articolo del costruttore | LQG18HN2N7S00D |
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Numero di parte futuro | FT-LQG18HN2N7S00D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQG18 |
LQG18HN2N7S00D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Air |
Induttanza | 2.7nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 500mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.037" (0.95mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN2N7S00D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQG18HN2N7S00D-FT |
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-R47M=P2
Murata Electronics North America
LQM2HPN1R0MEHL
Murata Electronics North America
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation