casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252008C-4R7M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252008C-4R7M=P2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DFE252008C-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252008C |
DFE252008C-4R7M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 438 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252008C-4R7M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252008C-4R7M=P2-FT |
1277AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-3R3M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R68M=P2
Murata Electronics North America
1276AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1276AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EPF81188ARC240-4AA
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel