casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252008C-3R3M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252008C-3R3M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252008C-3R3M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252008C |
DFE252008C-3R3M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 252 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252008C-3R3M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252008C-3R3M=P2-FT |
1277AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-3R3M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-R68M=P2
Murata Electronics North America
1276AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel