casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252008C-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252008C-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252008C-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252008C |
DFE252008C-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 91 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252008C-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252008C-1R0M=P2-FT |
82472C
Murata Power Solutions Inc.
82474C
Murata Power Solutions Inc.
82683C
Murata Power Solutions Inc.
1277AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-100M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-3R3M=P2
Murata Electronics North America
1277AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel