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codice articolo del costruttore | LQG18HN18NJ00D |
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Numero di parte futuro | FT-LQG18HN18NJ00D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQG18 |
LQG18HN18NJ00D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Air |
Induttanza | 18nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 2.6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.037" (0.95mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN18NJ00D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQG18HN18NJ00D-FT |
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-R47M=P2
Murata Electronics North America
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel