casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / LQA12B300C
codice articolo del costruttore | LQA12B300C |
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Numero di parte futuro | FT-LQA12B300C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Qspeed™ |
LQA12B300C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11.5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA12B300C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQA12B300C-FT |
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel