casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / LQA12B300C
codice articolo del costruttore | LQA12B300C |
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Numero di parte futuro | FT-LQA12B300C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Qspeed™ |
LQA12B300C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11.5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA12B300C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQA12B300C-FT |
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor