casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N6678
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6678 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6678 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/538 |
JANTXV2N6678 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 3A, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 3V |
Potenza - Max | 6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6678 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6678-FT |
JANTXV2N3700
Microsemi Corporation
JANTXV2N930
Microsemi Corporation
JAN2N2222A
Microsemi Corporation
JAN2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N2907A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2369A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369A
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel