casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2222A
codice articolo del costruttore | JAN2N2222A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2222A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/255 |
JAN2N2222A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-218 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2222A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2222A-FT |
JANTXV2N3421U4
Microsemi Corporation
JANTXV2N6301
Microsemi Corporation
JANTXV2N6249
Microsemi Corporation
JANTXV2N6249T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N5745
Microsemi Corporation
JANTXV2N5686
Microsemi Corporation
JANTXV2N5157
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5153L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3767
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel