casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2369A
codice articolo del costruttore | JAN2N2369A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2369A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/317 |
JAN2N2369A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 400nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2369A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2369A-FT |
JANTXV2N5157
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5153L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3767
Microsemi Corporation
JANTXV2N3741
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421S
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AUA
Microsemi Corporation
JAN2N3501UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3501UB
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel