casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3700
codice articolo del costruttore | JAN2N3700 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3700 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JAN2N3700 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3700 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3700-FT |
JANTXV2N6249
Microsemi Corporation
JANTXV2N6249T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N5745
Microsemi Corporation
JANTXV2N5686
Microsemi Corporation
JANTXV2N5157
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5153L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3767
Microsemi Corporation
JANTXV2N3741
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421
Microsemi Corporation
EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel