casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5804URS
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5804URS |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5804URS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5804URS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5804URS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5804URS-FT |
JANTX1N5811/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5811URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5812
Microsemi Corporation
JANTX1N5814
Microsemi Corporation
JANTX1N5814R
Microsemi Corporation
JANTX1N5816
Microsemi Corporation
JANTX1N5819UR-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5822US/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N6073
Microsemi Corporation
JANTX1N6076
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel