casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N5814
codice articolo del costruttore | JANTX1N5814 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N5814 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANTX1N5814 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5814 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N5814-FT |
JAN1N6620
Microsemi Corporation
JAN1N6620U
Microsemi Corporation
JAN1N6621
Microsemi Corporation
JAN1N6621U
Microsemi Corporation
JAN1N6621US
Microsemi Corporation
JAN1N6622
Microsemi Corporation
JAN1N6622U
Microsemi Corporation
JAN1N6622US
Microsemi Corporation
JAN1N6623
Microsemi Corporation
JAN1N6623U
Microsemi Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel