casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N6076
codice articolo del costruttore | JANTX1N6076 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N6076 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JANTX1N6076 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.76V @ 18.8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6076 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N6076-FT |
JAN1N6622U
Microsemi Corporation
JAN1N6622US
Microsemi Corporation
JAN1N6623
Microsemi Corporation
JAN1N6623U
Microsemi Corporation
JAN1N6623US
Microsemi Corporation
JAN1N6624
Microsemi Corporation
JAN1N6624U
Microsemi Corporation
JAN1N6624US
Microsemi Corporation
JAN1N6625
Microsemi Corporation
JAN1N6625U
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel