casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N5812
codice articolo del costruttore | JANTX1N5812 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N5812 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANTX1N5812 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5812 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N5812-FT |
JAN1N649-1
Microsemi Corporation
JAN1N6620
Microsemi Corporation
JAN1N6620U
Microsemi Corporation
JAN1N6621
Microsemi Corporation
JAN1N6621U
Microsemi Corporation
JAN1N6621US
Microsemi Corporation
JAN1N6622
Microsemi Corporation
JAN1N6622U
Microsemi Corporation
JAN1N6622US
Microsemi Corporation
JAN1N6623
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel