casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N6341
codice articolo del costruttore | JANTX2N6341 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N6341 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/509 |
JANTX2N6341 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 2.5A, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10A, 2V |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6341 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N6341-FT |
JANS2N5004
Microsemi Corporation
JANS2N5415
Microsemi Corporation
JANS2N5415UA
Microsemi Corporation
JANS2N5416
Microsemi Corporation
JANS2N5416U4
Microsemi Corporation
JANS2N5416UA
Microsemi Corporation
JANS2N5665
Microsemi Corporation
JANS2N5666U3
Microsemi Corporation
JANS2N5667
Microsemi Corporation
JANS2N6193
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel