casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N5415
codice articolo del costruttore | JANS2N5415 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N5415 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANS2N5415 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5415 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N5415-FT |
JAN2N2432A
Microsemi Corporation
JAN2N2906AL
Microsemi Corporation
JAN2N3250A
Microsemi Corporation
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel