casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N5416U4
codice articolo del costruttore | JANS2N5416U4 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N5416U4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANS2N5416U4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | U4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5416U4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N5416U4-FT |
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
JAN2N3584
Microsemi Corporation
JAN2N3585
Microsemi Corporation
JAN2N3634
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel