casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N5667
codice articolo del costruttore | JANS2N5667 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N5667 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANS2N5667 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 1.2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5667 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N5667-FT |
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
JAN2N3584
Microsemi Corporation
JAN2N3585
Microsemi Corporation
JAN2N3634
Microsemi Corporation
JAN2N3634L
Microsemi Corporation
JAN2N3634UB
Microsemi Corporation
JAN2N3636
Microsemi Corporation
JAN2N3636L
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
Intel
EP2S30F484I4
Intel
5SGSMD5K3F40C3
Intel
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
EP20K100EQC240-3
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel