casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N5416
codice articolo del costruttore | JANTX2N5416 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N5416 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTX2N5416 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5416 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N5416-FT |
JAN2N3506
Microsemi Corporation
JAN2N3506A
Microsemi Corporation
JAN2N3506AL
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JAN2N3506L
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JAN2N3507
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JAN2N3507A
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JAN2N3507AL
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JAN2N3507L
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JAN2N3716
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JAN2N3740
Microsemi Corporation
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FTG256C
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XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI240-3
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EPF10K10QC208-4
Intel
EP1S40F1020C5
Intel