casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N5416
codice articolo del costruttore | JANTX2N5416 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTX2N5416 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTX2N5416 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5416 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N5416-FT |
JAN2N3506
Microsemi Corporation
JAN2N3506A
Microsemi Corporation
JAN2N3506AL
Microsemi Corporation
JAN2N3506L
Microsemi Corporation
JAN2N3507
Microsemi Corporation
JAN2N3507A
Microsemi Corporation
JAN2N3507AL
Microsemi Corporation
JAN2N3507L
Microsemi Corporation
JAN2N3716
Microsemi Corporation
JAN2N3740
Microsemi Corporation
XA3S400A-4FGG400I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD5K2F40C3N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923E
Xilinx Inc.
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation