casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506
codice articolo del costruttore | JAN2N3506 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3506 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3506-FT |
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation