casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506
codice articolo del costruttore | JAN2N3506 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN2N3506 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3506-FT |
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI240-3
Intel
EPF10K10QC208-4
Intel
EP1S40F1020C5
Intel