casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506A
codice articolo del costruttore | JAN2N3506A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3506A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3506A-FT |
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
EP1C3T144I7N
Intel
XC3042-100PQ100C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VFX70T-1FF1136CES
Xilinx Inc.
LFE2M20E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34E1SG
Intel
10CX220YF780E6G
Intel