casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N6077
codice articolo del costruttore | JANTX1N6077 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N6077 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JANTX1N6077 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.76V @ 18.8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6077 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N6077-FT |
JAN1N6622US
Microsemi Corporation
JAN1N6623
Microsemi Corporation
JAN1N6623U
Microsemi Corporation
JAN1N6623US
Microsemi Corporation
JAN1N6624
Microsemi Corporation
JAN1N6624U
Microsemi Corporation
JAN1N6624US
Microsemi Corporation
JAN1N6625
Microsemi Corporation
JAN1N6625U
Microsemi Corporation
JAN1N6625US
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel