casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6623
codice articolo del costruttore | JAN1N6623 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN1N6623 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JAN1N6623 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6623 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6623-FT |
IRKE166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel