casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6623US
codice articolo del costruttore | JAN1N6623US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6623US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JAN1N6623US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 880V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 880V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6623US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6623US-FT |
IRKE196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.