casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6624
codice articolo del costruttore | JAN1N6624 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6624 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JAN1N6624 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6624 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6624-FT |
IRKE196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE56/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel