casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N3070UR-1
codice articolo del costruttore | JANTX1N3070UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N3070UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/169 |
JANTX1N3070UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 175V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 175V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AA, DO-7, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-7 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N3070UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N3070UR-1-FT |
JAN1N3595AUS
Microsemi Corporation
JAN1N3600
Microsemi Corporation
JAN1N3644
Microsemi Corporation
JAN1N3645
Microsemi Corporation
JAN1N3647
Microsemi Corporation
JAN1N3671A
Microsemi Corporation
JAN1N3671AR
Microsemi Corporation
JAN1N3673A
Microsemi Corporation
JAN1N3673AR
Microsemi Corporation
JAN1N3766
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel