casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N3671A
codice articolo del costruttore | JAN1N3671A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N3671A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JAN1N3671A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 38A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3671A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N3671A-FT |
IDD04SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA1
Infineon Technologies
IDFW60C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDP23011XUMA1
Infineon Technologies
IDT04S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT05S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT06S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT08S60CHKSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel