casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N3644
codice articolo del costruttore | JAN1N3644 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N3644 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JAN1N3644 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | S, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | S, Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3644 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N3644-FT |
IDC40S120C5X7SA1
Infineon Technologies
IDC50S120C5X7SA1
Infineon Technologies
IDC75S120C5X7SA1
Infineon Technologies
IDD04SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA1
Infineon Technologies
IDFW60C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDP23011XUMA1
Infineon Technologies
IDT04S60CHKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel