casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N3766
codice articolo del costruttore | JAN1N3766 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N3766 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
JAN1N3766 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 110A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3766 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N3766-FT |
IDFW60C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDP23011XUMA1
Infineon Technologies
IDT04S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT05S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT06S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT08S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT10S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT16S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDY10S120XKSA1
Infineon Technologies
IDY15S120XKSA1
Infineon Technologies
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel