casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N3070-1
codice articolo del costruttore | JANTX1N3070-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N3070-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/169 |
JANTX1N3070-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 175V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 175V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AA, DO-7, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-7 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N3070-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N3070-1-FT |
JANTXV1N645-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5711-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5623
Microsemi Corporation
JANTXV1N5622
Microsemi Corporation
JANTXV1N5620
Microsemi Corporation
JANTXV1N5619
Microsemi Corporation
JANTXV1N5614
Microsemi Corporation
JANTXV1N5550
Microsemi Corporation
JANTXV1N5417
Microsemi Corporation
JANTXV1N4249
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel