casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5619
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5619 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5619 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JANTXV1N5619 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 12V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5619 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5619-FT |
JANTXV1N5617
Microsemi Corporation
JANTX1N6625
Microsemi Corporation
JANTX1N5621
Microsemi Corporation
JANTX1N5623
Microsemi Corporation
JANTXV1N5420
Microsemi Corporation
JANTX1N6627
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418
Microsemi Corporation
JANTXV1N6628
Microsemi Corporation
JANTXV1N5553
Microsemi Corporation
JANTX1N6629
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation