casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5417
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5417 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5417 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANTXV1N5417 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5417 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5417-FT |
JANTX1N5623
Microsemi Corporation
JANTXV1N5420
Microsemi Corporation
JANTX1N6627
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418
Microsemi Corporation
JANTXV1N6628
Microsemi Corporation
JANTXV1N5553
Microsemi Corporation
JANTX1N6629
Microsemi Corporation
JANTX1N5802
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5618
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel