casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5550
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5550 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5550 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JANTXV1N5550 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5550 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5550-FT |
JANTX1N5621
Microsemi Corporation
JANTX1N5623
Microsemi Corporation
JANTXV1N5420
Microsemi Corporation
JANTX1N6627
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418
Microsemi Corporation
JANTXV1N6628
Microsemi Corporation
JANTXV1N5553
Microsemi Corporation
JANTX1N6629
Microsemi Corporation
JANTX1N5802
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel