casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N5809
codice articolo del costruttore | JANS1N5809 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS1N5809 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANS1N5809 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5809 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N5809-FT |
JAN1N5819UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N5811US
Microsemi Corporation
JAN1N5806
Microsemi Corporation
JAN1N5711-1
Microsemi Corporation
JAN1N5622
Microsemi Corporation
JAN1N5620
Microsemi Corporation
JAN1N5619
Microsemi Corporation
JAN1N5617
Microsemi Corporation
JAN1N5616
Microsemi Corporation
JAN1N5615US
Microsemi Corporation
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation