casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JAN2N3810
codice articolo del costruttore | JAN2N3810 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JAN2N3810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3810-FT |
2N2060L
Microsemi Corporation
2N2919
Microsemi Corporation
2N2919L
Microsemi Corporation
2N2919U
Microsemi Corporation
2N2920L
Microsemi Corporation
2N2920U
Microsemi Corporation
2N3810L
Microsemi Corporation
2N3810U
Microsemi Corporation
2N3838
Microsemi Corporation
2N5795
Microsemi Corporation
XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA484I
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC2VP40-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-2
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel