casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JAN2N3810
codice articolo del costruttore | JAN2N3810 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JAN2N3810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3810-FT |
2N2060L
Microsemi Corporation
2N2919
Microsemi Corporation
2N2919L
Microsemi Corporation
2N2919U
Microsemi Corporation
2N2920L
Microsemi Corporation
2N2920U
Microsemi Corporation
2N3810L
Microsemi Corporation
2N3810U
Microsemi Corporation
2N3838
Microsemi Corporation
2N5795
Microsemi Corporation
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMB5R2F43I3N
Intel
5CGXBC9C7F23C8N
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel