codice articolo del costruttore | 2N3810L |
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Numero di parte futuro | FT-2N3810L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3810L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3810L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3810L-FT |
ZDT1147TA
Diodes Incorporated
ZDT1147TC
Diodes Incorporated
MD2219A
Central Semiconductor Corp
MD2369A
Central Semiconductor Corp
MPQ6002
Central Semiconductor Corp
MPQ3762
Central Semiconductor Corp
MPQ3725
Central Semiconductor Corp
MPQ2222
Central Semiconductor Corp
MPQ3904
Central Semiconductor Corp
MPQ2222A
Central Semiconductor Corp
XCV50-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C1N
Intel
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPL84
Microsemi Corporation