codice articolo del costruttore | 2N3810U |
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Numero di parte futuro | FT-2N3810U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3810U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3810U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3810U-FT |
ZDT1147TC
Diodes Incorporated
MD2219A
Central Semiconductor Corp
MD2369A
Central Semiconductor Corp
MPQ6002
Central Semiconductor Corp
MPQ3762
Central Semiconductor Corp
MPQ3725
Central Semiconductor Corp
MPQ2222
Central Semiconductor Corp
MPQ3904
Central Semiconductor Corp
MPQ2222A
Central Semiconductor Corp
MPQ2369
Central Semiconductor Corp
EP2C8T144I8
Intel
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
10M08DAF484C8GES
Intel
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation