codice articolo del costruttore | 2N2919U |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N2919U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2919U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2919U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2919U-FT |
2N6988
Microsemi Corporation
2N6987
Microsemi Corporation
2N2920
Microsemi Corporation
ZDT1147TA
Diodes Incorporated
ZDT1147TC
Diodes Incorporated
MD2219A
Central Semiconductor Corp
MD2369A
Central Semiconductor Corp
MPQ6002
Central Semiconductor Corp
MPQ3762
Central Semiconductor Corp
MPQ3725
Central Semiconductor Corp
LFXP2-8E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FG256
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGSMD3E3H29I4N
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel